چکیده:
گرافن توسط novoselov  در سال 2004کشف شد .دوروش لایه برداری مکانیکی و نشست شیمیایی بخار برای تولید گرافن استفاده می شود. روش CVD به دلیل سرعت نسبتا بالای رسوب ،خلوص بالای بالا ، شرایط فیزیکی مناسب و صرفه ی اقتصادی بهترین و عمده ترین روش برای تولید گرافن به شمار می رود.دراین روش جریانی از ماده ی اولیه ی گازی شکل از منبع هیدروکربنی وارد راکتور شده و هیدروژن ویک گاز خنثی به راکتور افزوده می شود و حرارت داده می شود تا در دمای ℃900  واکنش انجام شده و کربن شکسته می شود ،کربن با هیبریداسیون Sp3 به Sp2 تبدیل می شود و در مرحله ی Cooling دما تا دمای اتاق سرد شده و محصولات ته نشین می شود.امروزه گرافن در الکترونیک ، الکتروشیمی ، تجزیه و کاتالیست کاربرد فراوانی دارد.دراین پروژه می خواهیم یک مرور کلی بر گرافن و انواع آن (گرافن عامل دار) ،روشهای تولید، پارامترهای موثر برآن و کاربردآن داشته باشیم .           

فهرست مطالب:
قدردانی
چکیده
فصل اول
مقدمه
1-1کربن فعال
1-1-1 مقدمه
1-1-2  تولید وبررسی خواص کربن فعال
1-1-3 مراحل تولید
1-1-4  جذب به وسیله ی کربن فعال شده
1-2  CNT
1-2-1     مقدمه
1-2-2   تولیدCNT
1-2-3  مواداولیه ی CNT
1-2-4  کاتالیست CNT
1-2-5  پوشش های کاتالیست CNT
1-2-6 کنترل رشد CNT
1-3   نانوذرات
1-3-1نانوچیست؟
1-3-3 نانوذرات ونانو ساختارها
1-3-4دیوارهای نانو
1-3-5 نانو نوارها
1-3-6 شبکه های نانو
1-3-7 نانو مواد
1-3-7-1 ساخت نانو مواد به روش هیدروترمال
1-3-7-2 ساخت نانوموادبه روش سل-ژل
فصل دوم
آشنایی با گرافن و ساختارآن
2-1 گرافن
2-2 تولید گرافن
2-2-1 روش لایه برداری مکانیکی:
2-3فرایند های پس از تولید گرافن
2-4 خصوصیات گرافن
2-5 روشهای افزایش بهبود خاصیت گرافن
2-5-1 ترکیبات فلزی آلی( MOF)
2-5-1-1 مقدمه
2-5-1-2 انتخاب جذب سطحی گاز در MOF های جامد
2-5-1-3 انتخاب جذب سطحی گاز در MOF های انعطاف پذیر
2-5-1-4 انتخاب جذب سطحی گاز در شبکه بندی قابل تنظیم غربال مولکولی MOF
2-5-1-6جداسازی گاز با MOF ها.
2-5-1-7 اثرات MOF  ها برای رفع ترکیبات آلی سولفور در سوخت های مایع
2-5-2 عامل دار کردن گرافن
2-5-2-1 تولید گرافن از اکسید گرافیت
2-5-2-2عامل دار کردن شیمیایی گرافن
2-5-2-3عامل دارکردن گرافن در محیط بازی
2-5-2-4 حفاظت،عامل دار کردن و کاربرد نانوذرات مغناطیسی:
2-5-2-5 روشی برای تایید عامل دارشدن گرافن
2-6 روشهای مطالعه ساختاری گرافن های تولید شده
2-6-1 پراش پرتوی ایکس
2-6-2عکس برداری TEM
2-6-3 طیف رامان
2-7 کاربردهای گرافن
فصل سوم
روش نشست شیمایی بخار
3-1 مقدمه
3-2 نشست شیمیایی بخار (CVD)
3-3  کاربردCVD
3-4 انواع راکتورهای CVD
3-5 CVD و رشد گرافن
3-5-1  شرح مختصری از واکنش های شیمیایی CVD وفرایندهای آن
3-5-2 گرافن تولید شده از CVD
3-5-3 مراحل فرایند
3-5-4 سینتیک رشد
3-5-5  مکانیسم واکنش
3-5-6پارامترهای ترمودینامیکی و سینتیکی
3-5-6-1فشار
3-5-6-2دما
3-5-6-3کاتالیست
3-5-6-4جریان گاز و زمان ماند
3-5-6-5زمان حرارت دهی
3-5-6-6پروفایل رشد
3-5-6-7شیب دمایی cooling
3-5-7ماده اولیه
3-5-8 لایه های گرافن
3-5-8-1 مواداولیه
3-5-9 دبی هیدروژن
3-6  تشکیل نانو ذرات با استفاده از روش CVD
3-7 مزایای روش CVD
3-8 معایب روش CVD
فصل چهارم
کاربردگرافن به عنوان غشاء
4-1 نانوذرات گرافن به عنوان غشای نمک گیری
4-1-1 مقدمه
4-1-2 نانومواد و آب پاک
4-1-3 گرافن به عنوان غشای نانو ذره
4-1-4 روش های محاسباتی
4-1-5 ترکیب در صد سیستم
4-1-6 پارامترها
4-1-7 ساختار آب در مجاورت منفذها
4-2 غشای گرافنی
4-2-1مقدمه:
4-2-2 غشای نامنظم
4-2-3 غشای گرافنی ساخته شده در قالب آماده:
4-2-4 غشای فیلتر گرافنی
4-2-5  غشای منظم
4-2-6 غشای ماتریس مخلوط گرافنی
فصل پنجم
بحث ونتیجه گیری
5-1 گرافن
5-1-1 سینتیک رشد و مکانیزم واکنش
5-1-2 سینتیک رشد
5-1-3 گرافن با کیفیت بالا :تاثیر پارامترهای تجربی
5-2 غشای گرافنی
مراجع